學(xué)生投票人數(shù)：36人
| 綜合滿意度 | 占比 |
| 五星 | 62% |
| 四星 | 16% |
| 三星 | 11% |
| 二星 | 0% |
| 一星 | 11% |
學(xué)生投票人數(shù)：41人
| 辦學(xué)條件滿意度 | 占比 |
| 五星 | 72% |
| 四星 | 14% |
| 三星 | 2% |
| 二星 | 0% |
| 一星 | 12% |
學(xué)生投票人數(shù)：34人
| 教學(xué)質(zhì)量滿意度 | 占比 |
| 五星 | 71% |
| 四星 | 5% |
| 三星 | 11% |
| 二星 | 2% |
| 一星 | 11% |
學(xué)生投票人數(shù)：33人
| 就業(yè)滿意度 | 占比 |
| 五星 | 58% |
| 四星 | 18% |
| 三星 | 6% |
| 二星 | 3% |
| 一星 | 15% |
電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)成立二十世紀(jì)70年代，專業(yè)名稱為“半導(dǎo)體物理與器件”專業(yè)，90年代初更名為“微電子技術(shù)”專業(yè)。1998年4月，調(diào)整為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)。
一、培養(yǎng)目標(biāo)和規(guī)格
1．培養(yǎng)目標(biāo)
培養(yǎng)適應(yīng)21世紀(jì)社會主義現(xiàn)代化建設(shè)需要、德智體美等全面發(fā)展，具有較高思想道德和文化素質(zhì)修養(yǎng)、敬業(yè)精神和社會責(zé)任感，擁有扎實的自然科學(xué)基礎(chǔ)和寬廣的專業(yè)知識，具有創(chuàng)新精神和工程實踐能力以及跟蹤掌握該領(lǐng)域新理論、新知識、新技術(shù)的能力,能夠從事電子科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域的研究、設(shè)計、開發(fā)、應(yīng)用和管理的高級人才。
培養(yǎng)要求：
本專業(yè)學(xué)生主要學(xué)習(xí)微電子、光電子、固體電子與物理電子領(lǐng)域的基礎(chǔ)理論和基本知識，接受相關(guān)的實驗技術(shù)、計算機(jī)應(yīng)用技術(shù)等方面的基本訓(xùn)練，掌握電子科學(xué)與技術(shù)的專業(yè)知識，具有從事該領(lǐng)域的材料、器件、工藝及系統(tǒng)的研究、設(shè)計與應(yīng)用開發(fā)的能力。
畢業(yè)生應(yīng)獲得以下幾方面的知識和能力：具有堅實的自然科學(xué)基礎(chǔ)、較好的人文社會科學(xué)基礎(chǔ)，并熟練掌握一門外語；
系統(tǒng)地掌握本專業(yè)領(lǐng)域所需的技術(shù)基礎(chǔ)理論；
具有較強(qiáng)的本專業(yè)領(lǐng)域的實驗?zāi)芰?、計算機(jī)應(yīng)用能力和工程實踐能力；
了解本專業(yè)領(lǐng)域的理論前沿和發(fā)展動態(tài)；
具有創(chuàng)新意識和跟蹤掌握該領(lǐng)域新理論、新知識、新技術(shù)的能力；
掌握文獻(xiàn)檢索、資料查詢的基本方法，具有一定的科學(xué)研究和實際工作能力。
2．人才培養(yǎng)規(guī)格
學(xué)制：4年
學(xué)位：工學(xué)學(xué)士學(xué)位
二、主要專業(yè)基礎(chǔ)和專業(yè)課程：
模擬電子技術(shù)、數(shù)字電子技術(shù)、單片機(jī)原理及應(yīng)用、C語言程序設(shè)計、理論物理基礎(chǔ)、固體物理、半導(dǎo)體物理、晶體管原理、集成電路CAD、雙極型集成電路、MOS集成電路、微電子器件工藝、光電子技術(shù)、電力電子器件原理與設(shè)計、半導(dǎo)體敏感元件、ASICEDA、薄膜與混合電路等。
三、就業(yè)方向：
1.集成電路設(shè)計與開發(fā)單位；集成電路生產(chǎn)（代工）廠。
2.功率器件（大功率晶體管、晶閘管）設(shè)計生產(chǎn)單位。
3.半導(dǎo)體傳感器，MEMS研發(fā)、生產(chǎn)單位
